Proizvođač Broj proizvoda:
RS1E130GNTB
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RS1E130GNTB-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
1178 kom. Nova originalna na skladištu
13525749
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RS1E130GNTB Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
13A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
11.7mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
420 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3W (Ta), 22.2W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-HSOP
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
RS1E
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
RS1E130GNTBTR
RS1E130GNTBCT
RS1E130GNTBDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
PJQ5412_R2_00001
Proizvođač
Panjit International Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
2969
DiGi BROJ DELOVA
PJQ5412_R2_00001-DG
JEDINIČNA CENA
0.12
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RRR030P03TL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
RP1E070XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
RD3P130SPFRATL
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
