Proizvođač Broj proizvoda:
RH6L040BGTB1
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RH6L040BGTB1-DG
Opis:
NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
24833 kom. Nova originalna na skladištu
12997780
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RH6L040BGTB1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
40A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
7.1mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
18.8 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1320 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
59W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-HSMT (3.2x3)
Paket / slučaj
8-PowerVDFN
Osnovni broj proizvoda
RH6L040
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
846-RH6L040BGTB1TR
846-RH6L040BGTB1DKR
846-RH6L040BGTB1CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RCJ331N25TL
250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
2SK4150TZ-E
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
RW4E045AJTCL1
NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
