Proizvođač Broj proizvoda:
RF4E100AJTCR
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RF4E100AJTCR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8
Inventar:
11749 kom. Nova originalna na skladištu
13526084
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RF4E100AJTCR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
12.4mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1460 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
HUML2020L8
Paket / slučaj
8-PowerUDFN
Osnovni broj proizvoda
RF4E100
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RF4E100AJTCRCT
RF4E100AJTCRTR
RF4E100AJTCRDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
R6020KNX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
R6012JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
