Proizvođač Broj proizvoda:
RF4E060AJTCR
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RF4E060AJTCR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventar:
2309 kom. Nova originalna na skladištu
13524226
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RF4E060AJTCR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
450 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2W (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
HUML2020L8
Paket / slučaj
8-PowerUDFN
Osnovni broj proizvoda
RF4E060
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RF4E060AJTCRDKR
RF4E060AJTCRTR
RF4E060AJTCRCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
PMPB29XNE,115
Proizvođač
NXP USA Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
19000
DiGi BROJ DELOVA
PMPB29XNE,115-DG
JEDINIČNA CENA
0.09
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
QS5U28TR
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
RCD080N25TL
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
R6020KNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247