Proizvođač Broj proizvoda:
R8006KND3TL1
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
R8006KND3TL1-DG
Opis:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
1440 kom. Nova originalna na skladištu
12975338
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
R8006KND3TL1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 4mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
650 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
83W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
R8006
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
846-R8006KND3TL1DKR
846-R8006KND3TL1TR
846-R8006KND3TL1CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RS3E130ATTB1
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
MSJB17N80-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
