Proizvođač Broj proizvoda:
R6509ENJTL
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
R6509ENJTL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventar:
88 kom. Nova originalna na skladištu
12851419
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
R6509ENJTL Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 230µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
430 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
94W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
LPTS
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
R6509
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
846-R6509ENJTLDKR
846-R6509ENJTLTR
846-R6509ENJTLCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IXTA8N65X2
Proizvođač
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
90
DiGi BROJ DELOVA
IXTA8N65X2-DG
JEDINIČNA CENA
1.41
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
R6507KNJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
R6011KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
FDMS3006SDC
MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56
