Proizvođač Broj proizvoda:
R6030JNZ4C13
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
R6030JNZ4C13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventar:
522 kom. Nova originalna na skladištu
13525632
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
R6030JNZ4C13 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
15V
Srs Na (maks) @ id, vgs
143mOhm @ 15A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
7V @ 5.5mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2500 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
370W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247G
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
R6030
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
RSY160P05TL
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
