Proizvođač Broj proizvoda:
R6009JNXC7G
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
R6009JNXC7G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
1899 kom. Nova originalna na skladištu
13526601
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
R6009JNXC7G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
15V
Srs Na (maks) @ id, vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
7V @ 1.38mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
645 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
53W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220FM
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
R6009
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
US5U1TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
RS1E350BNTB
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
