Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i postovi
Zahtev za ponudu/ Ponuda
Serbia
Prijavite se
Izborni jezik
Trenutni jezik po vašem izboru:
Serbia
Uključi/Isključi:
Engleski
Evropa
Ujedinjeno Kraljevstvo
Francuska
Španija
Turska
Moldavija
Litvanija
Norveška
Nemačka
Portugal
Slovačka
OMILjENO
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Belorusija
Holandija
Švedska
Crna gora
Baskijski
Island
Bosni
Mađarski
Rumunija
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnamu
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
San-Tome i Prinsipi
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
San-Tome i Prinsipi
Afrika, Indija i Bliski Istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Srbija / Srbija
Novi Zeland
Angoli
Brazil
Mozambiku
Peru
Kolumbija
Čile
Venecuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Severna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
Naše sertifikacije
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvaliteta
Uslovi korišćenja
Usaglašenost sa RoHS
Proces povraćaja
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i postovi
Usluge
Garancija kvaliteta
Način Plaćanja
Globalna isporuka
Cene dostave
Često postavljana pitanja
Proizvođač Broj proizvoda:
QH8KC5TCR
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
QH8KC5TCR-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Detaljan opis:
Mosfet Array 60V 3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventar:
1167 kom. Nova originalna na skladištu
12965489
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
*
Kompanija
*
Ime kontakt osobe
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa za isporuku
Poruka
(
*
) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
QH8KC5TCR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
60V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3A (Ta)
Srs Na (maks) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
3.1nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
135pF @ 30V
Snaga - Maks
1.1W (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SMD, Flat Lead
Dobavljač uređaja Paket
TSMT8
Osnovni broj proizvoda
QH8KC5
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
QH8KC5TCR
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
846-QH8KC5TCRDKR
846-QH8KC5TCRTR
846-QH8KC5TCRCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQ1912EH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
QH8KB6TCR
MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
SH8MB5TB1
MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP
SQJ941EP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8