Proizvođač Broj proizvoda:
BSM250D17P2E004
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
BSM250D17P2E004-DG
Opis:
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Detaljan opis:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 250A (Tc) 1800W (Tc) Chassis Mount Module
Inventar:
34 kom. Nova originalna na skladištu
13523882
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSM250D17P2E004 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Box
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracija
2 N-Channel (Half Bridge)
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
1700V (1.7kV)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
250A (Tc)
Srs Na (maks) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 66mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
-
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
30000pF @ 10V
Snaga - Maks
1800W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Chassis Mount
Paket / slučaj
Module
Dobavljač uređaja Paket
Module
Osnovni broj proizvoda
BSM250
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
4
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
