Proizvođač Broj proizvoda:
PJD7NA65_L2_00001
Product Overview
Proizvođač:
Panjit International Inc.
Broj dela:
PJD7NA65_L2_00001-DG
Opis:
650V N-CHANNEL MOSFET
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 7A (Ta) 140W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
12970614
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
PJD7NA65_L2_00001 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
PANJIT
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Not For New Designs
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
754 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
140W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
PJD7N
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
3757-PJD7NA65_L2_00001CT
3757-PJD7NA65_L2_00001DKR
3757-PJD7NA65_L2_00001TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PXP400-100QSJ
MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
PJQ5419_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW3N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
