Proizvođač Broj proizvoda:
NTMD2C02R2G
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NTMD2C02R2G-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12857787
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NTMD2C02R2G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
N and P-Channel
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
20V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.2A, 3.4A
Srs Na (maks) @ id, vgs
43mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1100pF @ 10V
Snaga - Maks
2W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
NTMD2C
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
2156-NTMD2C02R2G-ONTR
ONSONSNTMD2C02R2G
NTMD2C02R2GOS
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
NTLUD4C26NTAG
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 6UDFN
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
NTMD2C02R2SG
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
