NTJD1155LT2G

Proizvođač Broj proizvoda:

NTJD1155LT2G

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NTJD1155LT2G-DG

Opis:

MOSFET N/P-CH 8V SC88

Detaljan opis:

Mosfet Array 8V 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

3140 kom. Nova originalna na skladištu

12939405

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

NTJD1155LT2G Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Status proizvoda

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

N and P-Channel

FET karakteristika

-

Odvod do izvornog napona (VDS)

8V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

-

Srs Na (maks) @ id, vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

-

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

-

Snaga - Maks

400mW

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Dobavljač uređaja Paket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Osnovni broj proizvoda

NTJD1155

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

NTJD1155LT2G-DG

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

488-NTJD1155LT2GCT

488-NTJD1155LT2GTR

NTJD1155LT2G-DG

488-NTJD1155LT2GDKR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

vishay-siliconix

SQ4940AEY-T1_BE3

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SQ3985EV-T1_BE3

MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP

vishay-siliconix

SQ4920EY-T1_BE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

MSCC60VRM45TAPG

MOSFET 600V 40A SP6-P