Proizvođač Broj proizvoda:
NTHD3100CT1
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NTHD3100CT1-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Detaljan opis:
Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12840307
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NTHD3100CT1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
N and P-Channel
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
20V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
2.9A, 3.2A
Srs Na (maks) @ id, vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
165pF @ 10V
Snaga - Maks
1.1W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SMD, Flat Lead
Dobavljač uređaja Paket
ChipFET™
Osnovni broj proizvoda
NTHD3100
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
NTHD3100CT1G
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
5410
DiGi BROJ DELOVA
NTHD3100CT1G-DG
JEDINIČNA CENA
0.34
TIP ZAMENE
Direct
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDS8958A-F085
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
FDS9933A
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
EFC6605R-V-TR
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
