NTD4909N-1G

Proizvođač Broj proizvoda:

NTD4909N-1G

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NTD4909N-1G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK

Detaljan opis:

N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

RFQ Online

12847748

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

NTD4909N-1G Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

-

Serije

-

Status proizvoda

Obsolete

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

30 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

8.8A (Ta), 41A (Tc)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

4.5V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

8mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.2V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

1314 pF @ 15 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip montaže

Through Hole

Dobavljač uređaja Paket

I-PAK

Paket / slučaj

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Osnovni broj proizvoda

NTD49

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

75

Ostala imena

2156-NTD4909N-1G-ON

ONSONSNTD4909N-1G

Ekoloska i izvozna klasifikacija

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

onsemi

FDS2582

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

onsemi

FCD4N60TM_WS

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

onsemi

NTD4906NT4G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK

onsemi

NVMFS6B14NLWFT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN