NTBS9D0N10MC
Proizvođač Broj proizvoda:

NTBS9D0N10MC

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NTBS9D0N10MC-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

1370 kom. Nova originalna na skladištu
12976029
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

NTBS9D0N10MC Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
14A (Ta), 60A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
9mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 131µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1695 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
NTBS9

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
800
Ostala imena
488-NTBS9D0N10MCTR
2832-NTBS9D0N10MC
488-NTBS9D0N10MCDKR
488-NTBS9D0N10MCCT

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

TK090Z65Z,S1F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

vishay-siliconix

SIDR510EP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

vishay-siliconix

SIDR570EP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

vishay-siliconix

SQJ140ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)