Proizvođač Broj proizvoda:
NTBLS1D7N10MCTXG
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
NTBLS1D7N10MCTXG-DG
Opis:
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 29A (Ta), 272A (Tc) 3.4W (Ta), 295W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Inventar:
13256018
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NTBLS1D7N10MCTXG Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
29A (Ta), 272A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 698µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
9200 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.4W (Ta), 295W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-HPSOF
Paket / slučaj
8-PowerSFN
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,000
Ostala imena
488-NTBLS1D7N10MCTXGDKR
488-NTBLS1D7N10MCTXGCT
488-NTBLS1D7N10MCTXGTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
NTHL030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
