NSBC114EPDXVT1G
Proizvođač Broj proizvoda:

NSBC114EPDXVT1G

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

NSBC114EPDXVT1G-DG

Opis:

SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Inventar:

16000 kom. Nova originalna na skladištu
12973747
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

NSBC114EPDXVT1G Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
10kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
10kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
35 @ 5mA, 10V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
-
Snaga - Maks
500mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-563, SOT-666
Dobavljač uređaja Paket
SOT-563
Osnovni broj proizvoda
NSBC114

Dodatne informacije

Standardni paket
5,323
Ostala imena
2156-NSBC114EPDXVT1G
ONSONSNSBC114EPDXVT1G

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
Not applicable
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4985FE,LXHF(CT

AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4988FE,LXHF(CT

AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO

panjit

2SC164S_R1_00001

APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C

onsemi

NSVMUN5338DW1T3G

SS SC88 DUAL BRT TRPDBN