Proizvođač Broj proizvoda:
FQI4N90TU
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQI4N90TU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12848946
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQI4N90TU Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
900 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.2A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1100 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-262 (I2PAK)
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
FQI4N90
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
2156-FQI4N90TU-OS
ONSONSFQI4N90TU
2832-FQI4N90TU
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
AOY66923
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B