Proizvođač Broj proizvoda:
FDS8884
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDS8884-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
7218 kom. Nova originalna na skladištu
12838229
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDS8884 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8.5A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
23mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
635 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
FDS88
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDS8884DKR
FDS8884TR
2156-FDS8884-OS
ONSONSFDS8884
FDS8884CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
HUFA75344S3
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
FCA47N60F_SN00171
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
