Proizvođač Broj proizvoda:
FDR8308P
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDR8308P-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
Detaljan opis:
Mosfet Array 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Inventar:
12839701
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDR8308P Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
20V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3.2A
Srs Na (maks) @ id, vgs
50mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1240pF @ 10V
Snaga - Maks
800mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
SuperSOT™-8
Osnovni broj proizvoda
FDR83
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
FDR8308P-DG
FDR8308PTR
FDR8308PDKR
FDR8308PCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
FDC6306P
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
4981
DiGi BROJ DELOVA
FDC6306P-DG
JEDINIČNA CENA
0.16
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDG6301N_D87Z
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
FDMC89521L
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
