Proizvođač Broj proizvoda:
FDFMA2P859T
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDFMA2P859T-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Inventar:
12836659
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDFMA2P859T Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
435 pF @ 10 V
FET karakteristika
Schottky Diode (Isolated)
Rasipanje snage (maks)
1.4W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
MicroFET 2x2 Thin
Paket / slučaj
6-UDFN Exposed Pad
Osnovni broj proizvoda
FDFMA2
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
FDFMA2P859TDKR
FDFMA2P859TCT
FDFMA2P859TTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FQA38N30
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
FQP6N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
HUFA75321S3ST
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
