Proizvođač Broj proizvoda:

FDC8886

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDC8886-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

Detaljan opis:

N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

11945 kom. Nova originalna na skladištu

12836294

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

FDC8886 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Status proizvoda

Active

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

30 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

6.5A (Ta), 8A (Tc)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

4.5V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

7.4 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

465 pF @ 15 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

1.6W (Ta)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Dobavljač uređaja Paket

SuperSOT™-6

Paket / slučaj

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Osnovni broj proizvoda

FDC8886

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

FDC8886CT

FDC8886DKR

FDC8886TR

FDC8886-DG

2156-FDC8886-OS

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

onsemi

HUF76639P3

MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3

onsemi

ATP108-TL-H

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK

onsemi

IRFU220_R4941

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK

onsemi

2SK4094-1E

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3