Proizvođač Broj proizvoda:
FDB12N50TM
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDB12N50TM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
1 kom. Nova originalna na skladištu
12921893
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDB12N50TM Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
UniFET™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1315 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
165W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
FDB12N50
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Ostala imena
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IXFA12N50P
Proizvođač
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
298
DiGi BROJ DELOVA
IXFA12N50P-DG
JEDINIČNA CENA
1.82
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
IXTA12N50P
Proizvođač
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
24
DiGi BROJ DELOVA
IXTA12N50P-DG
JEDINIČNA CENA
1.71
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
