Proizvođač Broj proizvoda:
DTD113E
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
DTD113E-DG
Opis:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
25000 kom. Nova originalna na skladištu
12934311
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
DTD113E Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
1 kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
1 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
3 @ 5mA, 10V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Snaga - Maks
350 mW
Razredu
-
Kvalifikacije
-
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Dobavljač uređaja Paket
TO-92 (TO-226)
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
11,539
Ostala imena
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
