Proizvođač Broj proizvoda:
2SD863E-AE
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
2SD863E-AE-DG
Opis:
BIP NPN 1A 50V
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventar:
9000 kom. Nova originalna na skladištu
12936535
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2SD863E-AE Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostavni bipolarni tranzistori
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN
Struja - kolektor (IC) (maks)
1 A
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Struja - kolektor prekid (maks)
1µA (ICBO)
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
100 @ 50mA, 2V
Snaga - Maks
900 mW
Frekvencija - Tranzicija
150MHz
Radna temperatura
150°C (TJ)
Razredu
-
Kvalifikacije
-
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Dobavljač uređaja Paket
3-MP
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,219
Ostala imena
ONSONS2SD863E-AE
2156-2SD863E-AE
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
Not applicable
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
TH00483
SS TO39 GP PNP XSTR
2SD2176-TD-E
NPN 1.2A 50V DARLINGTON
2SD2198S-DL-E
BIP NPN 5A 50V
