Proizvođač Broj proizvoda:
PMN30UNE115
Product Overview
Proizvođač:
NXP USA Inc.
Broj dela:
PMN30UNE115-DG
Opis:
NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 4.8A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12947355
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
PMN30UNE115 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
NXP Semiconductors
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.8A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
36mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
0.9V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
558 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
6-TSOP
Paket / slučaj
SC-74, SOT-457
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
5,402
Ostala imena
2156-PMN30UNE115
NEXNXPPMN30UNE115
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDS6692A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
PHB110NQ08T,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
