Proizvođač Broj proizvoda:
PMGD175XN,115
Product Overview
Proizvođač:
NXP USA Inc.
Broj dela:
PMGD175XN,115-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V 900mA 390mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventar:
12811613
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
PMGD175XN,115 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
NXP Semiconductors
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
30V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
900mA
Srs Na (maks) @ id, vgs
225mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
75pF @ 15V
Snaga - Maks
390mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dobavljač uređaja Paket
6-TSSOP
Osnovni broj proizvoda
PMGD1
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
NEXNXPPMGD175XN,115
PMGD175XN,115-DG
2156-PMGD175XN,115-DG
2156-PMGD175XN115
2156-PMGD175XN115-NXTR-DG
568-10793-6
568-10793-2
934066754115
568-10793-1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
PMWD30UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
