Proizvođač Broj proizvoda:
BUK9E1R9-40E,127
Product Overview
Proizvođač:
NXP USA Inc.
Broj dela:
BUK9E1R9-40E,127-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V I2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 120A (Tj) Through Hole I2PAK
Inventar:
12822420
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BUK9E1R9-40E,127 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
NXP Semiconductors
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
120A (Tj)
Srs Na (maks) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
-
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
I2PAK
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
BUK9
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
934066511127
2156-BUK9E1R9-40E127-NX
NEXNXPBUK9E1R9-40E,127
568-9870-5
BUK9E1R940E127
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFH7932TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
IRF7946TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
TP2510N8-G
MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
