Proizvođač Broj proizvoda:
BS108,126
Product Overview
Proizvođač:
NXP USA Inc.
Broj dela:
BS108,126-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12823460
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BS108,126 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
NXP Semiconductors
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
300mA (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.8V
Srs Na (maks) @ id, vgs
5Ohm @ 100mA, 2.8V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 1mA
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
120 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-92-3
Paket / slučaj
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Osnovni broj proizvoda
BS10
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,000
Ostala imena
BS108 AMO-DG
934003840126
BS108 AMO
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF7779L2TR1PBF
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
IXTA160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO263
IRLIZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
