Proizvođač Broj proizvoda:
NTE2018
Product Overview
Proizvođač:
NTE Electronics, Inc
Broj dela:
NTE2018-DG
Opis:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Inventar:
22 kom. Nova originalna na skladištu
12950372
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
NTE2018 Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizovi
Proizvođač
Pakovanje
Bag
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
8 NPN Darlington
Struja - kolektor (IC) (maks)
600mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
-
Snaga - Maks
1W
Frekvencija - Tranzicija
-
Radna temperatura
-20°C ~ 85°C (TA)
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Dobavljač uređaja Paket
18-PDIP
Osnovni broj proizvoda
NTE20
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
2368-NTE2018
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
JANTXV2N3810U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
ZXTDA1M832TA
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
JANTX2N5796U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
