Proizvođač Broj proizvoda:
PSMN7R8-120ESQ
Product Overview
Proizvođač:
Nexperia USA Inc.
Broj dela:
PSMN7R8-120ESQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12829270
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
PSMN7R8-120ESQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Nexperia
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
120 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
70A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
9473 pF @ 60 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
349W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
I2PAK
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
PSMN7R8
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPI076N12N3GAKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
498
DiGi BROJ DELOVA
IPI076N12N3GAKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
1.44
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BUK7M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
BUK9605-30A,118
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
PSMN4R5-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
