GAN140-650FBEZ
Proizvođač Broj proizvoda:

GAN140-650FBEZ

Product Overview

Proizvođač:

Nexperia USA Inc.

Broj dela:

GAN140-650FBEZ-DG

Opis:

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN5060-5

Inventar:

2396 kom. Nova originalna na skladištu
13001070
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

GAN140-650FBEZ Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Nexperia
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
17A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V
Srs Na (maks) @ id, vgs
140mOhm @ 5A, 6V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 17.2mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (Maks)
+7V, -1.4V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
125 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
113W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Dobavljač uređaja Paket
DFN5060-5
Paket / slučaj
8-PowerVDFN
Osnovni broj proizvoda
GAN140

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
2,500
Ostala imena
934665903332
1727-GAN140-650FBEZCT
1727-GAN140-650FBEZTR
1727-GAN140-650FBEZDKR
5202-GAN140-650FBEZTR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
nexperia

GAN080-650EBEZ

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

rohm-semi

SCT4045DRHRC15

750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

goford-semiconductor

G26P04K

P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2

rohm-semi

RS6L120BGTB1

NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE