Proizvođač Broj proizvoda:
JANTXV2N7334
Product Overview
Proizvođač:
Microsemi Corporation
Broj dela:
JANTXV2N7334-DG
Opis:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Detaljan opis:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Inventar:
12923591
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
JANTXV2N7334 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Microsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
4 N-Channel
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
100V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1A
Srs Na (maks) @ id, vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
60nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
-
Snaga - Maks
1.4W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razredu
Military
Kvalifikacije
MIL-PRF-19500/597
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Dobavljač uređaja Paket
MO-036AB
Osnovni broj proizvoda
2N733
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
JANTXV2N7334-DG
JANTXV2N7334-MIL
150-JANTXV2N7334
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
ECH8654-TL-HQ
MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8
ECH8663R-TL-H
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
EFC6601R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
