JANSD2N3439L
Proizvođač Broj proizvoda:

JANSD2N3439L

Product Overview

Proizvođač:

Microchip Technology

Broj dela:

JANSD2N3439L-DG

Opis:

RH POWER BJT
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5AA

Inventar:

12987139
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

JANSD2N3439L Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostavni bipolarni tranzistori
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN
Struja - kolektor (IC) (maks)
1 A
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
350 V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Struja - kolektor prekid (maks)
2µA
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
40 @ 20mA, 10V
Snaga - Maks
800 mW
Frekvencija - Tranzicija
-
Radna temperatura
-55°C ~ 200°C
Razredu
Military
Kvalifikacije
MIL-PRF-19500/368
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Dobavljač uređaja Paket
TO-5AA

Dodatne informacije

Standardni paket
1
Ostala imena
150-JANSD2N3439L

Ekoloska i izvozna klasifikacija

REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
microchip-technology

2N3057

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N5660U3

POWER BJT

microchip-technology

2N1488

POWER BJT

microchip-technology

2C4236

POWER BJT