Proizvođač Broj proizvoda:
JANSD2N3439L
Product Overview
Proizvođač:
Microchip Technology
Broj dela:
JANSD2N3439L-DG
Opis:
RH POWER BJT
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5AA
Inventar:
12987139
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
JANSD2N3439L Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostavni bipolarni tranzistori
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN
Struja - kolektor (IC) (maks)
1 A
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
350 V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Struja - kolektor prekid (maks)
2µA
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
40 @ 20mA, 10V
Snaga - Maks
800 mW
Frekvencija - Tranzicija
-
Radna temperatura
-55°C ~ 200°C
Razredu
Military
Kvalifikacije
MIL-PRF-19500/368
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Dobavljač uređaja Paket
TO-5AA
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
150-JANSD2N3439L
Ekoloska i izvozna klasifikacija
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
