Proizvođač Broj proizvoda:
APT1001RBN
Product Overview
Proizvođač:
Microchip Technology
Broj dela:
APT1001RBN-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Detaljan opis:
N-Channel 1000 V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventar:
13257203
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
APT1001RBN Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
-
Serije
POWER MOS IV®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1000 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2950 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
310W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247AD
Paket / slučaj
TO-247-3
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
APT43F60L
MOSFET N-CH 600V 45A TO264
APT50M38JFLL
MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
2N6788
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
