Proizvođač Broj proizvoda:
2N7000-G
Product Overview
Proizvođač:
Microchip Technology
Broj dela:
2N7000-G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
2790 kom. Nova originalna na skladištu
12788557
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N7000-G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Bag
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
200mA (Tj)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
60 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-92-3
Paket / slučaj
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Osnovni broj proizvoda
2N7000
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
CSD17483F4
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
CSD22204W
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON