Proizvođač Broj proizvoda:
2N6660
Product Overview
Proizvođač:
Microchip Technology
Broj dela:
2N6660-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 410mA (Ta) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
2405 kom. Nova originalna na skladištu
13036055
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N6660 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Bag
Serije
-
Pakovanje
Bag
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
410mA (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
50 pF @ 24 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
6.25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-39
Paket / slučaj
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tehnička dokumentacija i dokumenti
PCN Skupština / Poreklo
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
2N6660MC
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
CSD23202W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
CSD16327Q3
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
