Proizvođač Broj proizvoda:
2N6351E3
Product Overview
Proizvođač:
Microchip Technology
Broj dela:
2N6351E3-DG
Opis:
POWER BJT
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150 V 5 A 1 W Through Hole TO-33
Inventar:
12980010
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N6351E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostavni bipolarni tranzistori
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN - Darlington
Struja - kolektor (IC) (maks)
5 A
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
150 V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
2.5V @ 10mA, 5A
Struja - kolektor prekid (maks)
1µA
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
1000 @ 5A, 5V
Snaga - Maks
1 W
Frekvencija - Tranzicija
-
Radna temperatura
-65°C ~ 200°C
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
Dobavljač uređaja Paket
TO-33
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
150-2N6351E3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
JANSR2N2221AUBC
RH SMALL-SIGNAL BJT
JANKCDR2N2907A
SMALL-SIGNAL BJT
JANSD2N2907AUB
RH SMALL-SIGNAL BJT
