Proizvođač Broj proizvoda:
2N3439P
Product Overview
Proizvođač:
Microchip Technology
Broj dela:
2N3439P-DG
Opis:
POWER BJT
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventar:
12983083
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N3439P Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostavni bipolarni tranzistori
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN
Struja - kolektor (IC) (maks)
1 A
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
350 V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Struja - kolektor prekid (maks)
2µA
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
40 @ 20mA, 10V
Snaga - Maks
800 mW
Frekvencija - Tranzicija
-
Radna temperatura
-55°C ~ 200°C
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Dobavljač uređaja Paket
TO-39 (TO-205AD)
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
150-2N3439P
Ekoloska i izvozna klasifikacija
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BFS19,235
NOW NEXPERIA BFS19 - SMALL SIGNA
2N5620
POWER BJT
2N4904
POWER BJT
