Proizvođač Broj proizvoda:
MCB30P1200LB-TRR
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
MCB30P1200LB-TRR-DG
Opis:
SIC 2N-CH 1200V 9SMPD
Detaljan opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Surface Mount 9-SMPD-B
Inventar:
13270823
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
MCB30P1200LB-TRR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
-
Serije
MCB30P1200LB
Status proizvoda
Active
Tehnologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200V (1.2kV)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
-
Srs Na (maks) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
-
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
-
Snaga - Maks
-
Radna temperatura
-
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
9-PowerSMD
Dobavljač uređaja Paket
9-SMPD-B
Osnovni broj proizvoda
MCB30P1200
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
200
Ostala imena
238-MCB30P1200LB-TRRTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXFN27N120SK
SIC 2N-CH 1200V SOT227B
MTC120WX55GD-SMD
MOSFET 6N-CH 55V 150A
MTI200WX75GD-SMD
MOSFET 6N-CH 75V 255A ISOPLUS