Proizvođač Broj proizvoda:
IXTQ34N65X2M
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
IXTQ34N65X2M-DG
Opis:
DISCRETE MOSFET 34A 650V X2 TO3P
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12968678
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IXTQ34N65X2M Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
34A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
96mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3000 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
43W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3P
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
238-IXTQ34N65X2M
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFC3415B
MOSFET 150V 43A DIE
IRFC7416B
MOSFET 30V 10A DIE
FDV301N-F169
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
