Proizvođač Broj proizvoda:
IXFN360N10T
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
IXFN360N10T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821211
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IXFN360N10T Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
HiPerFET™, Trench
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
360A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.6mOhm @ 180A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
505 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
36000 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
830W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Chassis Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-227B
Paket / slučaj
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovni broj proizvoda
IXFN360
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXTU5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
IXTH52N65X
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
IXTH12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3