Proizvođač Broj proizvoda:
IXFN120N65X2
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
IXFN120N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
93 kom. Nova originalna na skladištu
12820518
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IXFN120N65X2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
HiPerFET™, Ultra X2
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
108A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
24mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 8mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
15500 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
890W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Chassis Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-227B
Paket / slučaj
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovni broj proizvoda
IXFN120
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Ostala imena
632519
IXFN120N65X2X-DG
IXFN120N65X2X
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXTT8P50
MOSFET P-CH 500V 8A TO268
IXTA44P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
IXFK64N60Q3
MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
