Proizvođač Broj proizvoda:
IXFH60N65X2
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
IXFH60N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12820282
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IXFH60N65X2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
HiPerFET™, Ultra X2
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
60A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 4mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
6180 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
780W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247 (IXTH)
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
IXFH60
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPW60R060P7XKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
60
DiGi BROJ DELOVA
IPW60R060P7XKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
3.01
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
