IRF60DM206
Proizvođač Broj proizvoda:

IRF60DM206

Product Overview

Proizvođač:

International Rectifier

Broj dela:

IRF60DM206-DG

Opis:

IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME

Inventar:

51208 kom. Nova originalna na skladištu
12946577
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRF60DM206 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
StrongIRFET™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
130A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 150µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
6530 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
96W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DirectFET™ Isometric ME
Paket / slučaj
DirectFET™ Isometric ME

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
208
Ostala imena
2156-IRF60DM206
INFIRFIRF60DM206

Ekoloska i izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
fairchild-semiconductor

FDMS7670

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDPF51N25YDTU

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6