Proizvođač Broj proizvoda:
SPI70N10L
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
SPI70N10L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12807822
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SPI70N10L Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
SIPMOS®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
70A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
16mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 2mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4540 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
250W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO262-3-1
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
SPI70N
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
SP000014005
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SPP06N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3
SPD30N06S2L-23
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
SPB42N03S2L-13 G
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
