Proizvođač Broj proizvoda:
SPB18P06P
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
SPB18P06P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Detaljan opis:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12816252
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SPB18P06P Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
SIPMOS®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18.7A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
860 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
81.1W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO263-3
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SPB18P
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
SPB18P06PT
2156-SPB18P06P-ITTR
INFINFSPB18P06P
SP000012329
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SPB18P06PGATMA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
2030
DiGi BROJ DELOVA
SPB18P06PGATMA1-DG
JEDINIČNA CENA
0.44
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IRF7453
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7780MTRPBF
MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
