Proizvođač Broj proizvoda:
IRFB3307ZPBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRFB3307ZPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
1731 kom. Nova originalna na skladištu
12805763
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRFB3307ZPBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
75 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
120A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 150µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4750 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
230W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IRFB3307
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
2156-IRFB3307ZPBFINF
INFINFIRFB3307ZPBF
SP001564038
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SPP02N60C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
IRLS3034-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRFR3707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
