IRFB3006PBF
Proizvođač Broj proizvoda:

IRFB3006PBF

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

Broj dela:

IRFB3006PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

3175 kom. Nova originalna na skladištu
12805859
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
7aui
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRFB3006PBF Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
195A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
8970 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
375W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IRFB3006

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IRFB3006PBF
Tehnički listovi
IRFB3006PBF
HTML Tehnička dokumentacija
IRFB3006PBF-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50
Ostala imena
SP001570606

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
infineon-technologies

IRL5602STRRPBF

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

infineon-technologies

IRF7492TR

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

infineon-technologies

IRFB17N20D

MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

infineon-technologies

IRFS31N20DTRRP

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK